Предложение: Технология создания новых радиационно-модифицированных полупроводниковых материалов

Дата размещения16 ноября 2011Активен до15 ноября 2012Числовой идентификационный номер профиля321302Аннотация предложенияНаучно-исследовательская организация из г. Обнинска разработала технологию создания радиационно-модифицированных полупроводниковых материалов: Si, соединения типа AIIIBV, эпитаксиальных пленок на основе GaN, являющихся основой для создания высокоэффективных наноструктур. Технология радиационного модифицирования позволяет получить полупроводниковые материалы с уникальными свойствами недостижимыми традиционными металлургическими методами. Разработчики ищут партнеров для технической кооперации.Описание предложенияНаиболее широко используемым полупроводниковым материалом является кремний. Высокочистый монокристаллический кремний применяется в производстве интегральных схем, микроэлектроники, силовой электроники, электротехники, в солнечной энергетики и т.д. За последние пять лет ежегодное мировое производство полупроводникового кремния увеличилось в 2 раза и достигло 24 тысяч тонн в год, при этом ежегодный прирост производства полупроводникового кремния превышает 2 тысячи тонн. Технологии радиационного модифицирования позволяют получить полупроводниковые материалы со свойствами недостижимыми традиционными металлургическими методами.
Основное преимущество радиационно-модифицированных материалов – это высокая однородность распределения легирующей примеси по объему материала, и, следовательно, высокая однородность электрофизических свойств. По сравнению с материалами, полученными традиционными методами выращивания, неоднородность распределения свойств которых по объему материала составляет 7÷15 %, неоднородность радиационно-модифицированных полупроводников составляет всего 3÷5 %. Именно поэтому, радиационно-модифицированный Si до настоящего времени является безальтернативным материалом для производства силовых полупроводниковых приборов. Следующее преимущество заключается в том, что для таких материалов не существует предела концентрации введенной примеси – она определяется только ядерно-физическими свойствами исходных материалов и временем облучения в ядерном реакторе. Такие материалы, прошедшие цикл облучения в ядерном реакторе и высокотемпературной обработки, имеют на порядок большую радиационную стойкость (предельный флюенс нейтронов при изменении характеристик более чем на 30%) – 1016 см-2 по сравнению с традиционными материалами (1015 см-2). Применение ядерно-легированных и радиационно-модифицированных материалов для использования в качестве подложек и рабочих структур позволяет значительно повысить качество и надежность полупроводниковых приборов.
Инновационные аспекты и преимущества предложенияТехнологии радиационного модифицирования позволяют получить полупроводниковые материалы со свойствами недостижимыми традиционными методами.
Радиационно-модифицированный GaAs имеет в два раза меньший коэффициент оптического поглощения на длине волны =10,6 мкм, – (56)10-3 см-1, по сравнению GaAs, полученным традиционными методами выращивания – 1,210-2 см-1. Опытным путем установлено, что процент выхода годных приборов с пластины ядерно-легированного GaAs (на примере изготовления солнечных элементов) увеличился в десятки раз.Технологические ключевые слова, характеризующие профильПолупроводники. Нанотехнологии, связанные с электроникой и микроэлектроникой. Ключевые слова рыночных примененийПолупроводники. Полупроводниковые материалы (напр., кремниевые пластины). III/V полупроводниковые материалы (напр., арсенид галлия). Текущая стадия развитияНИР, лабораторные испытанияПрава интеллектуальной собственностиПатент полученКомментарии, дата и номер патента, если естьИмеется 7 патентов на изобретения РФТип требующегося сотрудничестваСовместная дальнейшая разработка
Испытание новых применений
Адаптация к потребностям заказчика
Тип искомого партнераПромышленностьОбласть деятельности партнераПроизводство интегральных схем, микроэлектроника, силовая электроника, электротехника, солнечная энергетика и т.д. Задачи, стоящие перед партнеромПроведение необходимых испытаний, разработка конечного изделия, сертификацияПредпочитаемые страныИспания
Италия
Израиль
Германия
Страны ЕС
Организация / Тип компанииИсследовательский институт / УниверситетРазмер организации – автора профиляболее 500