Назад к списку профилей
Выгрузить в PDF
01002007 Нанотехнологии, связанные с электроникой и микроэлектроникой
01002008 Оптические сети и системы
02007012 Оптические материалы
02007024 Наноматериалы
03007002 Прочие измерительные приборы (вкл. инфракрасные газоанализаторы, анализаторы влажности)
03007003 Прочие аналитические и научные приборы
05001007 Прочие диагностические средства
05004001 Электрометрическое и медицинское оборудование
Коммерческое соглашение с техническим содействием
Лицензионное соглашение
Производственное соглашение
Соглашение о совместном предприятии
Соглашение об исследованиях
Техническая кооперация
Если вас заинтересовал профиль и вы готовы предложить его авторам требуемое сотрудничество, заполните анкету выражения интереса. Система автоматически отправит Ваше сообщение центру – центру RTTN, через который был выставлен профиль. Его специалисты свяжутся с Вами и обсудят дальнейшие шаги.
Низкофононные лазерные матрицы (APb2X5:РЗЭ, где (A=K,Rb; X=Cl,Br)) на переходах редкоземельных элементов для генерации стимулированного излучения до 10 мкм
Код профиля: Тип профиля: Публикация: |
NSU 12905 Технологическое предложение 22.05.2022 |
Аннотация
В университете (Россия) разработаны кристаллы для твердотельных лазеров, обеспечивающие прямую генерацию излучения в среднем ИК диапазоне до 10 мкм на переходах в редкоземельных ионах, диапазон прозрачности данных кристаллов (от 0.3 до 30 микрон). Кристаллы выгодно отличаются от имеющихся оксидных, фторидных и халькогенидных кристаллических матриц. Университет ищет партнеров для совместной разработки приборов на базе кристаллов группы APb2X5:РЗЭ.Описание предложения
В университете (Россия) разработаны кристаллические материалы для твердотельных лазеров, предназначенных для прямой генерации излучения в среднем ИК диапазоне до 10 мкм на переходах редкоземельных ионах. Материалы выгодно отличаются от имеющихся кристаллических матриц, что позволяет реализовать излучательные процессы на переходах редкоземельных элементов (РЗЭ). Данные кристаллы негигроскопические, химически стойкие, что обеспечивает их работу в атмосферных условиях. Основные группы лазерных сред, применяемых в квантовой электронике: оксиды, фториды, халькогениды, галогениды. Если расположить их по максимальной энергии фононов, это выглядит следующим образом: (?900 см-1), (?450 см-1), (?400 см-1) (?140-200 см-1), соответственно, чем выше энергия фононов, тем выше вероятность безизлучательных процессов. Граница тушения фотолюминесценции составляет (мкм): оксиды (?3), фториды (?4.5), халькогениды (?6), галогениды (?10мкм). При больших длинах волн ФЛ практически отсутствует. Весьма важным фактором является то, что кристаллы APb2X5:РЗЭ могут накачиваться диодными лазерами, а значит, есть возможность изготовления миниатюрных приборов. Типичные длины излучения диодных лазеров находятся в диапазоне 600, 750, 800, 900 и 1300 нм, что хорошо согласуется со спектрами поглощения легированных кристаллов APb2X5:РЗЭ. Твердотельные лазеры находят множество применений, связанных с инфракрасным излучением. Лазеры, работающие в диапазоне до 10 микрон, востребованы не только для научных изысканий, но и для множества практических применений. Например, для дистанционного исследования атмосферы в диапазоне частот основных молекулярных колебаний веществ- загрязнений окружающей среды («вибрационные отпечатки»). Использование таких лазерных сред обеспечит возможность повышения чувствительности сигнала инфракрасных тепловизоров (например, для приборов ночного видения) и др. Университет ищет партнеров для совместной разработки приборов на базе кристаллов группы APb2X5:РЗЭ.Инновационные аспекты и преимущества
Инновационные аспекты разработки состоят в следующем: - Разработанные кристаллы характеризуются более низкой энергией фононов по сравнению с ныне широко используемыми в качестве активных сред, за счет того, что они образованны относительно тяжелыми ионами. Низкие энергии фононов приводят к тому, что в средней ИК области, до 10 микрон по крайней мере, доминирует излучательный механизм релаксации возбуждения и возможна прямая генерация стимулированного излучения при комнатной температуре. - Материал имеет возможность получения генерации при накачке недорогими диодными лазерами. - Отличаются от других галогенидов и известного кристалла LaCl3:Pr химической стабильностью, низкой гигроскопичностью. Преимущества разработки состоят в следующем: - Создана возможность для разработки миниатюрных приборов, работающих в атмосферных условиях, при комнатных температурах без потери качества лазерного излучения. - Возможность создания различных приборов: лазеров на чипах, компактных твердотельных лазеров с диодной накачкой.Текущая стадия развития
НИР, лабораторные испытанияТехнологические ключевые слова
01002001 Микро- и нанотехнологии, связанные с электроникой и микроэлектроникой01002007 Нанотехнологии, связанные с электроникой и микроэлектроникой
01002008 Оптические сети и системы
02007012 Оптические материалы
02007024 Наноматериалы
Коды рыночных применений
03005 Лазерные средства03007002 Прочие измерительные приборы (вкл. инфракрасные газоанализаторы, анализаторы влажности)
03007003 Прочие аналитические и научные приборы
05001007 Прочие диагностические средства
05004001 Электрометрическое и медицинское оборудование
Права интеллектуальной собственности
Секреты производстваКомментарии, дата и номер патента, если есть
Технология синтеза кристаллов защищена режимом коммерческой тайны. При необходимости результаты интеллектуальной деятельности могут быть запатентованы.
Сотрудничество
Тип требующегося сотрудничества
Договор о предоставлении услугКоммерческое соглашение с техническим содействием
Лицензионное соглашение
Производственное соглашение
Соглашение о совместном предприятии
Соглашение об исследованиях
Техническая кооперация
Тип искомого партнера
Научно-исследовательские лаборатории, предприятия, готовые разработать, испытать и начать производство компонентов и устройств на основе разработанной элементной базы.Область деятельности партнера
Наука, производство электронных компонентов и узловЗадачи, стоящие перед партнером
Разработка конструкции и испытание промышленных прототипов, с последующей организацией серийного производства компонентов и изделий на основе разработанных материалов.Предпочитаемые страны
Австрия; Азербайджан; Армения; Белоруссия; Бельгия; Болгария; Бразилия; Великобритания; Венгрия; Германия; Греция; Дания; Индия; Ирландия; Испания; Италия; Казахстан; Кипр; Киргизия; Китай; Латвия; Литва; Люксембург; Мальта; Молдавия; Нидерланды; Польша; Португалия; Российская Федерация; Румыния; Словакия; Словения; Страны БРИКС; Страны ЕС; Страны СНГ; Таджикистан; Туркменистан; Узбекистан; Украина; Финляндия; Франция; Хорватия; Чехия; Швеция; Эстония; Южная Африка;
Авторы профиля
Тип и размер клиента
УниверситетРегион
Новосибирская область
Профиль представлен в сети
Название центра
Новосибирский государственный университетРегион
Новосибирская областьВеб-сайт
www.nsu.ru
Выразить интерес
Форма выражения интереса
Если вас заинтересовал профиль и вы готовы предложить его авторам требуемое сотрудничество, заполните анкету выражения интереса. Система автоматически отправит Ваше сообщение центру – центру RTTN, через который был выставлен профиль. Его специалисты свяжутся с Вами и обсудят дальнейшие шаги.